低电阻单刀单掷模拟开关

NX3V1G66
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NX3V1G66

特征

系统特性

  • 宽电源电压范围从1.4 V至4.3 V
  • 极低的导通电阻(峰值):
    • VCC = 1.4 V时为0.8 Ω(典型值)
    • VCC = 1.65 V时为0.5 Ω(典型值)
    • VCC = 2.3 V时为0.3 Ω(典型值)
    • VCC = 2.7 V时为0.25 Ω(典型值)
    • VCC = 4.3 V时为0.25 Ω(典型值)
  • 高抗噪性
  • ESD保护:
    • HBM JESD22– A114F 3A类超过7500 V
    • MM JESD22– A115– A超过200 V
    • CDM AEC– Q100– 011修订版B超过1000 V
  • 低功耗CMOS
  • 闭锁性能超过JESD78B II类A级规定的100 mA
  • 3.0 V TTL电平的直接接口
  • 控制输入接受高于电源电压的电压
  • 高电流处理能力(3.3 V供电时500 mA的连续电流)
  • 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

支持

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